Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Application of silicene, germanene and stanene for Na or Li ion storage: A theoretical investigation

Silicene, germanene and stanene likely to graphene are atomic thick material with interesting properties. We employed first-principles density functional theory (DFT) calculations to investigate and compare the interaction of Na or Li ions on these films. We first identified the most stable binding sites and their corresponding binding energies for a single Na or Li adatom on the considered mem...

متن کامل

Prediction of flatness-driven quantum spin Hall effect in functionalized germanene and stanene.

Searching for realistic materials able to realize room-temperature quantum spin Hall (QSH) effects is currently a growing field, especially when compatibility with the current group-IV electronics industry is required. Here we predict, through first-principles calculations, a new class of QSH phases in flattened germanene and stanene functionalized with X atoms (f-GeX2 and f-SnX2; X = H, F, Cl,...

متن کامل

Tensile strains give rise to strong size effects for thermal conductivities of silicene, germanene and stanene.

Based on first principles calculations and self-consistent solution of the linearized Boltzmann-Peierls equation for phonon transport approach within a three-phonon scattering framework, we characterize lattice thermal conductivities k of freestanding silicene, germanene and stanene under different isotropic tensile strains and temperatures. We find a strong size dependence of k for silicene wi...

متن کامل

existence and approximate $l^{p}$ and continuous solution of nonlinear integral equations of the hammerstein and volterra types

بسیاری از پدیده ها در جهان ما اساساً غیرخطی هستند، و توسط معادلات غیرخطی ‎‏بیان شد‎‎‏ه اند. از آنجا که ظهور کامپیوترهای رقمی با عملکرد بالا، حل مسایل خطی را آسان تر می کند. با این حال، به طور کلی به دست آوردن جوابهای دقیق از مسایل غیرخطی دشوار است. روش عددی، به طور کلی محاسبه پیچیده مسایل غیرخطی را اداره می کند. با این حال، دادن نقاط به یک منحنی و به دست آوردن منحنی کامل که اغلب پرهزینه و ...

15 صفحه اول

Epitaxial growth of two-dimensional stanene.

Following the first experimental realization of graphene, other ultrathin materials with unprecedented electronic properties have been explored, with particular attention given to the heavy group-IV elements Si, Ge and Sn. Two-dimensional buckled Si-based silicene has been recently realized by molecular beam epitaxy growth, whereas Ge-based germanene was obtained by molecular beam epitaxy and m...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Advanced Materials Interfaces

سال: 2020

ISSN: 2196-7350,2196-7350

DOI: 10.1002/admi.201902132